دراسة على الخواص الالكتروضوئية لحدود الحبيبات لـ CuIn1-xGaxSe2 وباسطة ميكروسكوب القوى الكهروستاتيكية
A study on the optoelectronic properties of CuIn1-xGaxSe2 grain boundaries by electrostatic force microscopy
Yoonmook Kanga, Jae Ho Yunb, Kyung Hoon Yoonb, K. S. Jeonc, Yung-Doug Suhc and Donghwan Kima
الخلاصة
قمنا بدراسة توزيع الشحنة الكهربية في أفلام CuIn1-xGaxSe2، مع التركيز على حدود الحبيبات. قياسات هول، والشعاع الإلكتروني المنتج لتيار كهربي وقياسات التيار الناتج عن الشعاع الضوئي هي طريقة شائعة تستخدم لتشخيص الخلايا الشمسية، ولكنها لا توفر الدقة التحليلية المطلوبة لدراسة الحدود الحبيبية المفردة. ولهذا استخدمنا ميكروسكوب القوة الكهروستاتيكية electrostatic force microscopy (EFM) القادر على رصد توزيع الشحنة الكهربية وتدرج الجهد لسطح العينة. أجريت تجارب EFM عند درجة حرارة 300K باستخدام مجس ميكروسكوب ماسح TM 3100 (Digital Instruments). نقترح ان حدود الحبيبات هي منطقة تراكم الإلكترونات ومنطقة الحبيبة الداخلية هي منطقة تراكم الفجوات. التغير في الجهد بين حدود الحبيبات والمنطقة الداخلية للحبيبة قدرت بـ 60~180 meV.
الملف الاصلي
3A study on the optoelectronic properties o
ملف الترجمة
