توليف ودراسة الخواص الفيزيائية للجسيمات النانوية من Cu(In,Ga)Se2 وأفلام CuGaSe2 لتطبيقات الخلايا الشمسية متعدد الوصلات
Synthesis and physical properties of Cu(In,Ga)Se2 nanoparticles and CuGaSe2 thin-films for tandem cell photovoltaic applications
R. Jeong, R. H. Shin, W. Jo1, M. Song, S. Yoon
الخلاصة
لتطبيقات الخلية الفوتوفولتية المتعددة الوصلات، تم دراسة الجسميات النانوية من Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) وأفلام CuGaSe2 (CGS). كما تم دراسة تراكيب بديلة مع معدن Mo وطبقة أكسيد موصلة شفافة (TCO) كأطراف توصيل خلفية.
تم توليف جسيمات CIGS النانوية بواسطة تقنية الانتزاع بالليزر النبضي (pulsed laser ablation) (PLA) وتم معالجتها حراريا في Se بعد الترسيب. نتائج التحاليل السطحية والضوئية وتحاليل أخرى كشفت عن مورفولوجي فريد، وانزياح في فجوة الطاقة ومعامل امتصاص عالي. الخواص الكهربية لتركيب وصلة p-n بينت خواص فوتوفولتية بـ Jsc بمقدار 31.7 nA/cm2 و Voc بمقدار 0.17 V في حالة الجسيمات النانوية.
تم ترسيب أفلام CGS من خلال خطوة واحدة بالتبخير المشترك (co-evaporation). عمليات تحضير متعددة لأفلام CGS مثل طبقة ثنائية وعمليات من ثلاثة مراحل [3, 4]. وبالرغم من العملية ذات الثلاثة مراحل أعطت افضل نتائج للكفاءة حتى الأن إلا إننا قمنا بتحضير أفلام رقيقة من CGS بعملية من مرحلة واحدة ضمنت إعادة الإنتاج (reproducibility). ولكي يتم استخدام فيلم CGS كطبقة علوية على أجهزة الخلايا الشمسية متعددة الوصلات، قمنا بدراسة فجوة الطاقة الضوئية والخواص الفوتوفولتية. خواص أفلام CGS على TCO سوف تقارن مع أفلام على Mo.
الملف الاصلي
5Synthesis and physical properties of
ملف الترجمة
