البينة التركيبية والخواص الإلكتروضوئية لبلورة ابيتاكسي أحادية منCu(ln1-xGax)Se2 ومركبات عيوب مرتبة
Structure and optoelectronic properties of single crystal epitaxial
Cu(ln1-xGax)Se2 and ordered defect compounds
Rockett, G. Berry, D. Schroeder, H.-Z. Xiao, and L. Chung Yang
الخلاصة
نمت Cu(ln1-xGax)Se2 بشكل ابيتاكسي (نمو بلوري مطابق للشبكة البلورية لأرضية الترسيب) على GaAs (111) بين درجتي حرارة 550oC إلى 735oC مع 0 £ x £ 1. نسبة Cu/[ln+Ga]، y، بين y=0.3 إلى y=1.3. بينت دراسة للأفلام المترسبة ان بنية العيوب المرتبة كانت متجانسة في كل الطبقات الابيتاكسي الغنية بالمجموعة III لكل محتويات Ga. الأفلام التي نمت بـ y=0.3 تمتلك فجوات طاقة تساوي 1.2 eV تقريبا وأعطت دليل على كلا من تلألؤ الكاثود والامتصاص الضوئي لذيل الحزم. عيوب التكدس تؤثر على كلا من معدل النمو والتلألؤ ولكن يمكن ان يتحول إلى اضطرابات في موضعه (dislocations) بالمعالجة الحرارية السريعة. اعلى قيمة لقابلية حركة الفجوات حتى الآن >1500 cm2/V-sec وتزداد عند درجات حرارة منخفضة. تركيز الفجوات أعطى دليل على مستوى 80 meV فوق حافة حزمة التكافؤ عند تركيز يزيد عن 1017 cm-3 في كل عينات من النوع p. لوحظ أيضا ان اعتماد التركيب على المستوى عند 40 meV وتحول النوع عند 100 K تقريبا.
الملف الاصلي
8Structure and optoelectronic properties of single crystal epitaxial
ملف الترجمة
8البينة التركيبية والخواص الإلكتروضوئية لبلورة ابيتاكسي أحادية
